spl byxx unmontierter laserbarren 10 w cw ... 120 w qcw unmounted laser bars 10 w cw ... 120 w qcw vorl?ufige daten / preliminary data 2000-11-07 1 besondere merkmale ? unmontierter laserbarren hoch-effiziente movpe quantenfilmstruktur absolut zuverl?ssiges kompressiv verspanntes inga(al)as/gaas material standard-wellenl?ngenselektion von 3nm, weitere auf anfrage l?tbare p- und n-seitige metallisierung anwendungen pumpen von festk?rperlasern (nd, yb, er, ho, ?) direkte materialbearbeitung (l?ten, oberfl?chenbearbeitung, markieren, schwei?en, etc.) erw?rmen, beleuchten anwendungen im medizinischen und druckerei-bereich sicherheitshinweise je nach betriebsart emittieren diese bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare infrarot- strahlung, die gef?hrlich fr das menschliche auge sein kann. produkte, die diese bauteile enthalten, mssen gem?? den sicherheits- richtlinien der iec-norm 60825-1 behandelt werden. features unmounted monolithic linear array high-efficiency movpe-grown quantum-well structure highly-reliable strained-layer inga(al)as/gaas material standard wavelength selection is 3nm, others on request solderable p- and n-side metallization applications pumping of solid state lasers (nd, yb, er, ho, ?) direct material processing (soldering, surface treatment, marking, welding, etc.) heating, illumination medical and printing application safety advices depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in iec 60825-1 ?safety of laser products?.
2000-11-07 2 spl byxx typ type leistung power wellenl ? nge 1) wavelength 1) bestellnummer ordering code spl bw81 10 w ? 20 w cw 808 nm q62702-p3573 spl bx81 30 w ? 40 w cw 808 nm q62702-p5241 spl bx83 830 nm q62702-p5242 spl bx94 940 nm q62702-p5243 spl bx98 975 nm q62702-p5244 spl bg81 40 w ? 50 w cw 808 nm q62702-p1654 spl bg94 940 nm q62702-p1733 spl bg98 975 nm q62702-p3259 spl bs81 60 w ? 120 w qcw 808 nm q62702-p1719 spl bs94 940 nm q62702-p3258 1) andere wellenl ? ngen im bereich von 780 nm ? 980 nm sind auf anfrage erh ? ltlich. other wavelengths in the range of 780 nm ? 980 nm are available on request. kennwerte ( t a = 25 c ) characteristics bezeichnung parameter symbol symbol op werte values einheit unit bwxx bxxx bgxx bsxx empfohlene ausgangsleistung 1) recommended output power 1) p op ? 10 ? 20 cw 30 ? 40 cw 40 ? 50 cw 60 ? 120 qcw w zerst ? rgrenze 1) 2) catastrophic optical damage limit 1) 2) p cod ? > 85 > 100 > 150 > 270 w schwellstrom 2) threshold current 2) i th 808 nm 830 nm 940 nm 975 nm < 12 ? ? ? < 14 < 14 < 8 < 8 < 20 ? < 12 < 12 < 24 ? < 16 ? a differentielle quanten-effizienz 2) differential quantum efficiency 2) 808 nm 830 nm 940 nm 975 nm > 1.0 > 1.0 > 0.85 > 0.85 w / a gesamter konversionswirkungsgrad 1) total conversion efficiency 1) tot ? > 38 % strahldivergenz (halbwertsbreite) beam divergence (fwhm) ii ? 38 12 grad deg.
spl byxx 2000-11-07 3 zentrale impulswellenl ? nge 2)3) standard pulse center wavelength 2)3) pulse 808 nm 830 nm 940 nm 975 nm 804 ? ? ? 801 823 934 968 801 ? 934 968 804 ? 934 ? nm spektrale breite (halbwertsbreite) spectral width (fwhm) ? ? < 4 nm packungsdichte filling factor f ? 24 28.5 50 77 % einzelne emitter ? ffnung single emitter aperture w ? 100 150 200 100 m teilung pitch p ? 400 500 400 126 m barrenbreite bar width w ? 10 9.5 10 mm 1) abh ? ngig von der montagetechnik, d.h. vom entsprechenden thermischen widerstand. depending on mounting technique, i.e. on the resulting thermal resistance. 2) von messungen an einem emitter eines unmontierten barren (1 s pulse bei 1 khz wiederholungsfrequenz). from measurements on one emitter of an unmounted bar (1 s pulses at 1 khz repetition rate). 3) andere pulswellenl ? ngen sind auf anfrage erh ? ltlich. other pulse wavelengths are available on request kennwerte ( t a = 25 c ) characteristics (cont ? d) bezeichnung parameter symbol symbol op werte values einheit unit bwxx bxxx bgxx bsxx
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